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Halide Perovskite 간단 정리 Halide Perovskite 간단 정리 Perovskite는 Calciumtitanate (CaTiO3) 광물군의 구조이다. 화학식으로는 ABX3 이며, 서로 다른 크기의 A, B 금속 양이온과 X 음이온 (산소 혹은 할라이드)에 의해서 결합된다. B와 X로 구성된 [BX3]- 의 정팔면체들 간에 평면과 수직 방향으로 음이온을 공유하고, A 양이온이 그 사이 공간에 위치한다. 조성에 따라서, 산화물 페로브스카이트(Oxide perovskite), 할라이드 페로브스카이트 (Halide perovskite)로 나뉜다. 입방 형태(Cubic) 를 위해 구성 이온들 간의 크기 비가 매우 중요하다. 이는 tolerance facore 에 의해서 예측할 수 있다. 보통 0.85 < t < 1.11 의 값을 가진.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 6. 17.
계장화 압입 시험 간단 설명 계장화 압입 시험 계장형 압입시험법 재료의 기계적 물성치는 ASTM 규격에 따라 제작된 인장시편을 ASTM 절차에 따라 인장시험을 수행하여 얻는 것이 일반화된 방법이다. 그런데 인장시편을 채취 하기 곤란한 부위에서의 기계적 물성치를 비교적 용이 하게 얻을 수 있는 대체방법으로 계장화 압입시험법 (Instrumented Indentation Technique)이 있는데 기본 원리는 다음과 같이 요약될 수 있다. 계장화 압입시험은 재료에 가해지는 압입 하중에 따른 압입 깊이를 연속적으로 측정하여 압입 하중-변위 곡선을 얻고, 이를 분석하여 대상 재료의 기계적 특성을 평가하는 기법이다. 기존의 경도시험과 유사하지만 직접 압흔의 크기를 측정하지 않는다는 차이점과 기존의 경도값 외에 탄성계수, 유동특성, 파괴인성.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 6. 17.
#17. PEALD 간단 정리 #17. PEALD 간단 정리! PEALD는 "Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition"의 약어로, 원자층 증착 기술의 일종입니다. 이 기술은 나노 공정 분야에서 매우 중요한 역할을 합니다. PEALD는 원자층 증착 기술 중 하나로서, 나노 미터 단위의 매우 얇은 박막을 생성하는 데 사용됩니다. 이 기술은 전자기장과 플라즈마를 이용하여 고체 표면에 반복적으로 원자층을 증착하여 박막을 형성합니다. PEALD의 특징은 높은 핵심 밀도, 균일한 증착, 높은 입자 에너지, 매우 얇은 박막 증착 등입니다. 또한, 이 기술은 저온에서 증착이 가능하여, 고온에서의 증착으로 인한 부식 문제를 해결할 수 있습니다. PEALD는 나노전자공학, 나노반도체, 나노센서, 나노기계 및 나노전자 등 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 24.
#16. PR의 종류 간단 정리 #16. PR의 종류 간단 정리! 오늘은 포토 공정에서 사용하는 PR(Photo Resist)의 종류에 대해서 간단히 정리해보겠습니다! 양극성 포토레지스트(PPR)는 광감도성 고분자 재료로 이루어진 반도체 공정에서 사용되는 포토레지스트의 한 종류입니다. 노광 후 광을 받은 부분이 고분자를 분해시키고 노출되지 않은 부분은 분해되지 않는 특징이 있습니다. 즉, 노광 후 분해되는 부분은 노광에 노출된 부분이며, 노광에 노출되지 않은 부분은 분해되지 않습니다. 이러한 특성으로 인해, 노광 후 제거되지 않은 부분만 남겨져 패턴을 형성할 수 있습니다. 반면, 음극성 포토레지스트(NPR)는 양극성 포토레지스트와는 달리 노광 후 광을 받은 부분이 분해되지 않고 노광에 노출되지 않은 부분이 고분자를 분해시키는 특징이 있.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 19.
#15. 패키징 공정(Packaging) 공정 간단 정리 #15. 패키징 공정(Packaging) 공정 간단 정리! 패키징은 반도체 제조 과정의 마지막 단계로, 반도체 소자를 보호하고 외부 환경과의 상호작용을 관리하여 제품의 실용성, 신뢰성, 내구성을 향상시키는 과정입니다. 패키징 공정은 크게 다음과 같은 단계로 구성됩니다: 패키지 디자인 및 선정: 제품의 용도, 기술 요구사항, 제조 및 시스템 통합 요구사항 등을 고려하여 적합한 패키지를 선택하거나 디자인합니다. 패키지는 반도체 소자를 보호하고 외부로부터의 물리적 충격, 온도, 습도, 먼지 등으로부터 보호하며, 소자와 외부 장치 또는 시스템 간의 전기적 연결을 제공합니다. 패키지 제조: 선택한 패키지를 제조합니다. 이 과정에는 패키지의 기판 제조, 실장 (die attach), 와이어 본딩 (wire bond.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 13.
#14. 금속 배선 공정(Metallization) 간단 정리 #14. 금속 배선 공정 간단 정리! 금속 배선(Metallization)은 반도체 제조 공정 중 하나로, 반도체 소자에 금속으로 된 배선을 형성하는 과정입니다. 금속 배선은 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달을 담당하며, 반도체 소자의 신호 처리 및 전기적 성능을 향상시키는 역할을 수행합니다. 금속 배선 공정은 다양한 단계로 이루어집니다. 일반적인 금속 배선 공정 단계는 다음과 같습니다: 박막 증착: 금속 배선의 기반이 되는 금속 층을 반도체 기판에 증착하는 단계입니다. 이를 위해 물리적 증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 또는 화학 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착 방법이 사용됩니다. 증착된 금속 층은 반도체 기판에 밀착되어 금속.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 13.
#13. 증착(Deposition) 과정 간단 정리 #13. 증착 (Deposition) 과정 간단 정리! 증착(deposition) 공정은 반도체 제조 과정 중 하나로, 반도체 웨이퍼(기판) 위에 물질을 증착하여 원하는 소자를 형성하는 과정입니다. 반도체 소자의 구조와 성능에 영향을 주는 중요한 단계입니다. 증착 공정은 크게 물리적 증착(Physical Deposition)과 화학적 증착(Chemical Deposition)으로 나뉩니다. 물리적 증착(Physical Deposition): 물리적인 에너지를 이용하여 물질을 증착하는 과정으로, 주로 물질을 기체나 수증기 상태에서 웨이퍼에 증착시킵니다. 대표적인 물리적 증착 공정으로는 스퍼터링(Sputtering)과 이온 빔 증착(Ion Beam Deposition)이 있습니다. 스퍼터링은 원자나 이온의 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 13.
#12. 에칭(Etching) 공정 간단 정리 #12. 에칭(Etching) 공정 간단 정리 에칭은 반도체 제조 과정에서 중요한 단계 중 하나로, 물질의 표면을 부식, 제거하는 과정입니다. 반도체 소자의 회로 패턴을 형성하는 데 필수적인 공정으로 사용되며, 반도체 기술의 발전과 현대 전자기기의 성능 향상에 큰 영향을 미치고 있습니다. 에칭은 화학 에칭(Chemical Etching)과 플라즈마 에칭(Plasma Etching)으로 나뉘어집니다. 화학 에칭은 물질의 표면을 화학적인 반응을 통해 제거하는 과정으로, 웨이퍼(반도체 기판) 표면에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 미리 노출된 부분을 보호하고, 노출되지 않은 부분은 에칭 액체(에칭 용액)에 노출하여 물질을 제거합니다. 화학 에칭은 반도체에서 금속, 다이옥사이드, 실리콘 등 다양한 물질을 부식.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#11. 포토 공정 간단 정리 #11. 포토리소그래피(Photolithography) 공정 간단 정리! 포토리소그래피(Photolithography)는 반도체 제조 공정 중의 하나로, 반도체 웨이퍼에 포토 레지스트(PR) 라는 물질을 적용하고, 이후 노출 및 에칭 과정을 통해 반도체 회로 패턴을 형성하는 과정을 말합니다. 포토리소그래피 과정은 다음과 같은 단계로 이루어집니다. 레지스트 코팅: 반도체 웨이퍼 표면에 레지스트를 적용하는 단계로, 레지스트는 노출 단계에서 빛을 조사받아 원하는 회로 패턴을 형성하는 역할을 합니다. 노출: 레지스트에 빛을 조사하여 레지스트를 노출시키는 단계로, 노출에 사용되는 마스크는 원하는 회로 패턴을 가지고 있습니다. 레지스트는 노출된 부분과 노출되지 않은 부분으로 나뉘어지게 됩니다. Develop: 노출.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#10. 산화 공정(Oxidation) 간단 정리 #10. 산화 공정 간단 정리! 산화 공정은 반도체 제조 과정 중 하나로, 반도체 웨이퍼에 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 산화막은 반도체 소자의 전기적 특성을 제어하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 대표적인 산화 공정 기술에 대한 더 자세한 설명입니다. 열 산화 (Thermal Oxidation): 열 산화는 반도체 웨이퍼를 고온에서 산소와의 반응에 노출하여 산화막을 형성하는 방법입니다. 일반적으로 산소 가스 환경에서 웨이퍼를 고온로에 노출시켜 산화막을 형성하며, 주로 드라이 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation) 두 가지 형태로 나누어집니다. 드라이 산화는 산소와 웨이퍼의 직접적인 반응에 의해 산화막을 형성하며, 높은 온도와 긴 시간이 필요하다는 단점이.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#9. 웨이퍼 제조 간단 정리 #9. 웨이퍼 제조 간단 정리! 웨이퍼 제조는 반도체 제조의 초기 단계로, 반도체 회로가 형성될 기판인 웨이퍼를 제조하는 과정입니다. 웨이퍼는 일반적으로 실리콘(Si) 기반으로 제조되며, 매우 얇은 원형 디스크 형태를 가지고 있습니다. 웨이퍼 제조 과정은 다음과 같은 주요 단계들로 이루어져 있습니다. 웨이퍼 제조 시작: 실리콘 덩어리(실리콘 단결정)를 만들어내는 과정인 Czochralski 혹은 Floating Zone 방법으로 웨이퍼를 시작합니다. 이 과정에서 실리콘 단결정을 생성하고, 웨이퍼의 크기와 방향을 정하게 됩니다. 웨이퍼 교정: 생성된 실리콘 단결정을 톱으로 자르고, 웨이퍼의 두께와 표면을 교정합니다. 웨이퍼의 두께는 반도체의 전기적 특성에 중요한 영향을 미치며, 고정밀한 두께 교정이 필요합.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#8. 반도체 8대 공정 간단 정리 반도체 제조 과정은 여러 단계로 이루어진 고도의 복잡한 과정으로, 일반적으로 "공정"이라고 불리는 단계들로 구성됩니다. 여기에서는 대표적인 반도체 제조 공정 중 8대 공정에 대해 간략하게 설명해드리겠습니다. 웨이퍼 제작: 반도체 제조의 시작 단계로, 실리콘 웨이퍼라는 원형 기판을 제작합니다. 웨이퍼는 미세한 두께와 평평한 표면을 가지고 있어야 합니다. 산화공정: 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성합니다. 포토공정: 웨이퍼의 표면에 반도체 회로의 패턴을 형성하기 위해 미세한 광학 노광 공정을 수행합니다. 노광은 미세한 광원과 마스크를 사용하여 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼에 전달하는 과정입니다. 식각공정: 노광으로 형성된 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼 표면에 적층된 미세한 반도체 소재를 제거함으로써 형성된 패.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#7. RAM 간단 정리 #7. RAM 간단 정리! 반도체에서 램(Random Access Memory, RAM)은 컴퓨터의 주요 주기억장치로, 현재 실행 중인 프로그램과 데이터를 일시적으로 저장하는 고속의 반도체 기반 저장장치입니다. 반도체란, 전기 신호를 이용하여 정보를 저장하고 처리하는 소자로, 램은 이러한 반도체 기술을 이용하여 데이터를 저장하고 읽어올 수 있습니다. 반도체 램은 다양한 형태와 기술로 구현되며, 가장 일반적으로 사용되는 램의 형태는 동적 램(Dynamic Random Access Memory, DRAM)과 정적 램(Static Random Access Memory, SRAM)입니다. 동적 램(DRAM): 동적 램은 각 셀이 하나의 비트를 저장하는 구조로, 정보를 저장하기 위해 전하를 축적하는 셀로 구성되어.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#6. Nand 플래시 메모리 간단 정리 #6. Nand 플래시 메모리 간단 정리! NAND 플래시 메모리는 비휘발성 저장장치로서, 주로 데이터 저장 및 전송에 사용되는 반도체 기반의 메모리입니다. NAND 플래시 메모리는 높은 데이터 보존성, 빠른 데이터 접근 속도, 낮은 전력 소비 등의 특징을 가지고 있어 다양한 디지털 기기에서 널리 사용됩니다. NAND 플래시 메모리는 NAND 게이트라는 논리 게이트의 배열로 데이터를 저장합니다. NAND 게이트는 AND 게이트의 출력을 반전시킨 형태로, 하나 이상의 입력이 LOW일 때에만 출력이 HIGH가 되는 논리 게이트입니다. NAND 플래시 메모리는 이런 NAND 게이트를 여러 개의 레벨로 배열하여 비트와 페이지의 형태로 데이터를 저장합니다. NAND 플래시 메모리는 메모리 셀(Cell)이라는 단위.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#5. 시스템 반도체 간단 정리 #5. 시스템 반도체 간단 정리! 시스템 반도체는 다양한 전자 시스템에서 전력 공급, 신호 처리, 제어, 통신 등의 기능을 수행하는 반도체 기술을 의미합니다. 시스템 반도체는 다양한 제품과 시스템에 적용되어, 컴퓨터, 통신, 자동차, 산업 제어, 의료 기기, 가전제품 등 다양한 분야에서 사용되고 있습니다. 다음은 시스템 반도체의 주요 종류와 특징에 대한 간략한 설명입니다. 마이크로프로세서 (Microprocessor): 컴퓨터나 다양한 전자 기기에서 데이터 처리를 담당하는 중앙 처리 장치(CPU)로 사용되는 시스템 반도체입니다. 마이크로프로세서는 산술 연산, 논리 연산, 제어 등의 다양한 연산을 수행하며, 컴퓨터의 성능을 결정하는 중요한 요소입니다. 인텔, AMD, ARM 등이 대표적인 마이크로프로세서 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#4. 메모리 반도체 간단 정리 #4. 메모리 반도체 간단 정리! 메모리 반도체는 컴퓨터와 다양한 디지털 기기에서 데이터를 저장하고 읽고 쓰는데 사용되는 반도체 기술입니다. 메모리 반도체는 데이터를 일시적으로 저장하는 RAM(Random Access Memory)과 데이터를 영구적으로 저장하는 ROM(Read-Only Memory)으로 구분될 수 있습니다. 다음은 메모리 반도체의 주요 종류와 특징에 대한 간략한 설명입니다. RAM (Random Access Memory): 데이터를 일시적으로 저장하는 메모리로, 전원이 꺼지면 저장된 데이터가 사라지는 휘발성 메모리입니다. 주요 종류로는 DRAM(Dynamic RAM)과 SRAM(Static RAM)이 있습니다. DRAM은 저장된 데이터를 주기적으로 갱신해야 하며, 비교적 저렴하고 높은 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#3. PVD(Physical Vapor Deposition) 간단 정리 #3. PVD 간단 정리! PVD(Physical Vapor Deposition)는 고체나 박막을 형성하는 증착 기술로, 물리적인 원리를 이용하여 증착물질을 직접 기판에 적착시키는 공정입니다. PVD는 진공 상태에서 수행되며, 증착물질이 고체나 액체 형태에서 기체 상태로 변환되어 기판에 충돌하여 적착되는 원리로 작동합니다. PVD는 다양한 방법으로 수행될 수 있습니다. 가장 일반적인 PVD 방법 중 하나인 스퍼터링(Sputtering)은 고에너지 입자(이온)를 이용하여 증착물질을 기판에 충돌시켜 적착시키는 방식입니다. 스퍼터링은 증착물질을 고체 상태로 보유한 타겟(target)을 이용하여 입자를 방출한 후, 그 입자들이 기판으로 이동하여 표면에 적착되어 박막을 형성합니다. PVD는 다양한 산업 분야에서 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 12.
#2. CVD(Chemical Vapor Deposition) 간단 정리 #2. CVD 간단 정리! CVD(Chemical Vapor Deposition)는 화학 기체 상태의 성분들을 고체나 박막으로 증착시키는 공정으로, 다양한 산업 분야에서 널리 사용되는 고급 증착 기술입니다. CVD 공정은 일반적으로 다음과 같은 단계로 이루어집니다. 성장 기체 제공: CVD 공정에서 사용되는 화학 기체들이 공정 챔버에 공급됩니다. 이 화학 기체들은 원하는 증착물질의 성분들이 포함되어 있습니다. 화학 기체들은 일반적으로 액체나 고체 상태에서 증발 또는 분해되어 기체 상태로 제공됩니다. 기체 분해 및 화학 반응: 공정 챔버 내에서 기체 상태의 성분들이 열, 전기, 광 등의 에너지를 통해 분해되고, 화학 반응을 일으켜 증착물질의 성분들이 형성됩니다. 이러한 화학 반응은 고체 또는 박막 형성에 .. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 11.
#1. ALD(Atomic Layer Deposition) 간단 정리 #1. ALD 간단 정리! ALD(Atomic Layer Deposition)는 나노 기술 분야에서 사용되는 고급 박막 증착 기술입니다. 말 그대로, 원자 단위로 박막을 증착하는 과정을 의미합니다. ALD는 높은 균일성, 고해상도, 나노 두께 제어 등의 특징을 가지고 있어, 다양한 분야에서 광범위하게 활용되고 있습니다. ALD의 작동 원리는 다음과 같습니다. 기초물질 공급: 전구체(Precursor)를 반응 챔버에 공급합니다. 기초물질은 원자 또는 분자 형태로 공급되며, 박막의 화학 조성을 결정합니다. 반응 가스 공급: 기초물질 공급 후, 반응 가스(Reactant)를 반응 챔버에 공급합니다. 반응 가스는 기초물질과 반응하여 원자 또는 분자 형태로 표적 표면에 흡착됩니다. 반응: 전구체와 반응 가스 사이.. 공감수 0 댓글수 0 2023. 4. 11.

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