반응형 공정3 #10. 산화 공정(Oxidation) 간단 정리 #10. 산화 공정 간단 정리! 산화 공정은 반도체 제조 과정 중 하나로, 반도체 웨이퍼에 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 산화막은 반도체 소자의 전기적 특성을 제어하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 대표적인 산화 공정 기술에 대한 더 자세한 설명입니다. 열 산화 (Thermal Oxidation): 열 산화는 반도체 웨이퍼를 고온에서 산소와의 반응에 노출하여 산화막을 형성하는 방법입니다. 일반적으로 산소 가스 환경에서 웨이퍼를 고온로에 노출시켜 산화막을 형성하며, 주로 드라이 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation) 두 가지 형태로 나누어집니다. 드라이 산화는 산소와 웨이퍼의 직접적인 반응에 의해 산화막을 형성하며, 높은 온도와 긴 시간이 필요하다는 단점이.. 2023. 4. 12. #9. 웨이퍼 제조 간단 정리 #9. 웨이퍼 제조 간단 정리! 웨이퍼 제조는 반도체 제조의 초기 단계로, 반도체 회로가 형성될 기판인 웨이퍼를 제조하는 과정입니다. 웨이퍼는 일반적으로 실리콘(Si) 기반으로 제조되며, 매우 얇은 원형 디스크 형태를 가지고 있습니다. 웨이퍼 제조 과정은 다음과 같은 주요 단계들로 이루어져 있습니다. 웨이퍼 제조 시작: 실리콘 덩어리(실리콘 단결정)를 만들어내는 과정인 Czochralski 혹은 Floating Zone 방법으로 웨이퍼를 시작합니다. 이 과정에서 실리콘 단결정을 생성하고, 웨이퍼의 크기와 방향을 정하게 됩니다. 웨이퍼 교정: 생성된 실리콘 단결정을 톱으로 자르고, 웨이퍼의 두께와 표면을 교정합니다. 웨이퍼의 두께는 반도체의 전기적 특성에 중요한 영향을 미치며, 고정밀한 두께 교정이 필요합.. 2023. 4. 12. #8. 반도체 8대 공정 간단 정리 반도체 제조 과정은 여러 단계로 이루어진 고도의 복잡한 과정으로, 일반적으로 "공정"이라고 불리는 단계들로 구성됩니다. 여기에서는 대표적인 반도체 제조 공정 중 8대 공정에 대해 간략하게 설명해드리겠습니다. 웨이퍼 제작: 반도체 제조의 시작 단계로, 실리콘 웨이퍼라는 원형 기판을 제작합니다. 웨이퍼는 미세한 두께와 평평한 표면을 가지고 있어야 합니다. 산화공정: 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성합니다. 포토공정: 웨이퍼의 표면에 반도체 회로의 패턴을 형성하기 위해 미세한 광학 노광 공정을 수행합니다. 노광은 미세한 광원과 마스크를 사용하여 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼에 전달하는 과정입니다. 식각공정: 노광으로 형성된 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼 표면에 적층된 미세한 반도체 소재를 제거함으로써 형성된 패.. 2023. 4. 12. 이전 1 다음 반응형