반응형 반도체공정5 #16. PR의 종류 간단 정리 #16. PR의 종류 간단 정리! 오늘은 포토 공정에서 사용하는 PR(Photo Resist)의 종류에 대해서 간단히 정리해보겠습니다! 양극성 포토레지스트(PPR)는 광감도성 고분자 재료로 이루어진 반도체 공정에서 사용되는 포토레지스트의 한 종류입니다. 노광 후 광을 받은 부분이 고분자를 분해시키고 노출되지 않은 부분은 분해되지 않는 특징이 있습니다. 즉, 노광 후 분해되는 부분은 노광에 노출된 부분이며, 노광에 노출되지 않은 부분은 분해되지 않습니다. 이러한 특성으로 인해, 노광 후 제거되지 않은 부분만 남겨져 패턴을 형성할 수 있습니다. 반면, 음극성 포토레지스트(NPR)는 양극성 포토레지스트와는 달리 노광 후 광을 받은 부분이 분해되지 않고 노광에 노출되지 않은 부분이 고분자를 분해시키는 특징이 있.. 2023. 4. 19. #14. 금속 배선 공정(Metallization) 간단 정리 #14. 금속 배선 공정 간단 정리! 금속 배선(Metallization)은 반도체 제조 공정 중 하나로, 반도체 소자에 금속으로 된 배선을 형성하는 과정입니다. 금속 배선은 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달을 담당하며, 반도체 소자의 신호 처리 및 전기적 성능을 향상시키는 역할을 수행합니다. 금속 배선 공정은 다양한 단계로 이루어집니다. 일반적인 금속 배선 공정 단계는 다음과 같습니다: 박막 증착: 금속 배선의 기반이 되는 금속 층을 반도체 기판에 증착하는 단계입니다. 이를 위해 물리적 증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 또는 화학 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착 방법이 사용됩니다. 증착된 금속 층은 반도체 기판에 밀착되어 금속.. 2023. 4. 13. #10. 산화 공정(Oxidation) 간단 정리 #10. 산화 공정 간단 정리! 산화 공정은 반도체 제조 과정 중 하나로, 반도체 웨이퍼에 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 산화막은 반도체 소자의 전기적 특성을 제어하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 대표적인 산화 공정 기술에 대한 더 자세한 설명입니다. 열 산화 (Thermal Oxidation): 열 산화는 반도체 웨이퍼를 고온에서 산소와의 반응에 노출하여 산화막을 형성하는 방법입니다. 일반적으로 산소 가스 환경에서 웨이퍼를 고온로에 노출시켜 산화막을 형성하며, 주로 드라이 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation) 두 가지 형태로 나누어집니다. 드라이 산화는 산소와 웨이퍼의 직접적인 반응에 의해 산화막을 형성하며, 높은 온도와 긴 시간이 필요하다는 단점이.. 2023. 4. 12. #9. 웨이퍼 제조 간단 정리 #9. 웨이퍼 제조 간단 정리! 웨이퍼 제조는 반도체 제조의 초기 단계로, 반도체 회로가 형성될 기판인 웨이퍼를 제조하는 과정입니다. 웨이퍼는 일반적으로 실리콘(Si) 기반으로 제조되며, 매우 얇은 원형 디스크 형태를 가지고 있습니다. 웨이퍼 제조 과정은 다음과 같은 주요 단계들로 이루어져 있습니다. 웨이퍼 제조 시작: 실리콘 덩어리(실리콘 단결정)를 만들어내는 과정인 Czochralski 혹은 Floating Zone 방법으로 웨이퍼를 시작합니다. 이 과정에서 실리콘 단결정을 생성하고, 웨이퍼의 크기와 방향을 정하게 됩니다. 웨이퍼 교정: 생성된 실리콘 단결정을 톱으로 자르고, 웨이퍼의 두께와 표면을 교정합니다. 웨이퍼의 두께는 반도체의 전기적 특성에 중요한 영향을 미치며, 고정밀한 두께 교정이 필요합.. 2023. 4. 12. 이전 1 2 다음 반응형