반응형 산화2 #10. 산화 공정(Oxidation) 간단 정리 #10. 산화 공정 간단 정리! 산화 공정은 반도체 제조 과정 중 하나로, 반도체 웨이퍼에 산화막을 형성하는 과정을 말합니다. 산화막은 반도체 소자의 전기적 특성을 제어하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 대표적인 산화 공정 기술에 대한 더 자세한 설명입니다. 열 산화 (Thermal Oxidation): 열 산화는 반도체 웨이퍼를 고온에서 산소와의 반응에 노출하여 산화막을 형성하는 방법입니다. 일반적으로 산소 가스 환경에서 웨이퍼를 고온로에 노출시켜 산화막을 형성하며, 주로 드라이 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation) 두 가지 형태로 나누어집니다. 드라이 산화는 산소와 웨이퍼의 직접적인 반응에 의해 산화막을 형성하며, 높은 온도와 긴 시간이 필요하다는 단점이.. 2023. 4. 12. #8. 반도체 8대 공정 간단 정리 반도체 제조 과정은 여러 단계로 이루어진 고도의 복잡한 과정으로, 일반적으로 "공정"이라고 불리는 단계들로 구성됩니다. 여기에서는 대표적인 반도체 제조 공정 중 8대 공정에 대해 간략하게 설명해드리겠습니다. 웨이퍼 제작: 반도체 제조의 시작 단계로, 실리콘 웨이퍼라는 원형 기판을 제작합니다. 웨이퍼는 미세한 두께와 평평한 표면을 가지고 있어야 합니다. 산화공정: 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성합니다. 포토공정: 웨이퍼의 표면에 반도체 회로의 패턴을 형성하기 위해 미세한 광학 노광 공정을 수행합니다. 노광은 미세한 광원과 마스크를 사용하여 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼에 전달하는 과정입니다. 식각공정: 노광으로 형성된 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼 표면에 적층된 미세한 반도체 소재를 제거함으로써 형성된 패.. 2023. 4. 12. 이전 1 다음 반응형