반응형 금속2 #14. 금속 배선 공정(Metallization) 간단 정리 #14. 금속 배선 공정 간단 정리! 금속 배선(Metallization)은 반도체 제조 공정 중 하나로, 반도체 소자에 금속으로 된 배선을 형성하는 과정입니다. 금속 배선은 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달을 담당하며, 반도체 소자의 신호 처리 및 전기적 성능을 향상시키는 역할을 수행합니다. 금속 배선 공정은 다양한 단계로 이루어집니다. 일반적인 금속 배선 공정 단계는 다음과 같습니다: 박막 증착: 금속 배선의 기반이 되는 금속 층을 반도체 기판에 증착하는 단계입니다. 이를 위해 물리적 증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 또는 화학 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착 방법이 사용됩니다. 증착된 금속 층은 반도체 기판에 밀착되어 금속.. 2023. 4. 13. #8. 반도체 8대 공정 간단 정리 반도체 제조 과정은 여러 단계로 이루어진 고도의 복잡한 과정으로, 일반적으로 "공정"이라고 불리는 단계들로 구성됩니다. 여기에서는 대표적인 반도체 제조 공정 중 8대 공정에 대해 간략하게 설명해드리겠습니다. 웨이퍼 제작: 반도체 제조의 시작 단계로, 실리콘 웨이퍼라는 원형 기판을 제작합니다. 웨이퍼는 미세한 두께와 평평한 표면을 가지고 있어야 합니다. 산화공정: 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성합니다. 포토공정: 웨이퍼의 표면에 반도체 회로의 패턴을 형성하기 위해 미세한 광학 노광 공정을 수행합니다. 노광은 미세한 광원과 마스크를 사용하여 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼에 전달하는 과정입니다. 식각공정: 노광으로 형성된 반도체 회로의 패턴을 웨이퍼 표면에 적층된 미세한 반도체 소재를 제거함으로써 형성된 패.. 2023. 4. 12. 이전 1 다음 반응형