#14. 금속 배선 공정(Metallization) 간단 정리

#14. 금속 배선 공정 간단 정리!

 

금속 배선(Metallization)은 반도체 제조 공정 중 하나로, 반도체 소자에 금속으로 된 배선을 형성하는 과정입니다. 금속 배선은 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달을 담당하며, 반도체 소자의 신호 처리 및 전기적 성능을 향상시키는 역할을 수행합니다.

금속 배선 공정은 다양한 단계로 이루어집니다. 일반적인 금속 배선 공정 단계는 다음과 같습니다:

1. 박막 증착: 금속 배선의 기반이 되는 금속 층을 반도체 기판에 증착하는 단계입니다. 이를 위해 물리적 증착(PVD, Physical Vapor Deposition) 또는 화학 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착 방법이 사용됩니다. 증착된 금속 층은 반도체 기판에 밀착되어 금속 배선의 기반이 됩니다.
   
   
2. 레지스트 패턴 형성: 금속 배선의 패턴을 정의하기 위해 레지스트(Resist)라는 물질을 적층하는 단계입니다. 레지스트는 노광 공정 등을 사용하여 원하는 배선 패턴을 형성합니다. 레지스트는 배선 패턴을 정의하는 마스크 역할을 수행하며, 금속이 증착될 영역과 그렇지 않은 영역을 구분합니다.
   
   
3. 금속 증착: 레지스트로 정의된 배선 패턴에 금속을 증착하는 단계입니다. 일반적으로 금속은 레지스트에 의해 보호된 영역에만 증착되도록 선택적으로 증착이 이루어집니다. 금속이 증착되면 레지스트를 통해 정의된 배선 패턴에 따라 금속 배선이 형성됩니다.
   
   
4. 레지스트 제거: 금속 배선 패턴이 형성된 후, 레지스트를 제거하여 최종적으로 원하는 금속 배선이 반도체 소자에 남게 됩니다. 이를 위해 레지스트 제거 공정이 수행되며, 일반적으로 화학적 또는 물리적인 방법을 사용합니다. 레지스트 제거 후, 남은 금속 배선이 메탈라이제이션 공정의 최종 결과물로서 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달에 사용됩니다.
   
   
5. 후공정 처리: 금속 배선 공정이 완료된 후, 추가적인 후공정 처리가 수행될 수 있습니다. 예를 들어, 금속 배선의 표면을 보호하고 금속 간의 연결을 강화하기 위해 패션팅, 패스비테이션 등의 처리가 수행될 수 있습니다.
   
   

금속 배선 공정은 반도체 제조 공정 중에서 중요한 단계로, 반도체 소자의 전기적 연결과 신호 전달을 담당합니다. 반도체 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미치며, 고성능 반도체 소자의 제조에 필수적인 공정입니다. 다양한 금속, 증착 방법, 레지스트 등의 다양한 재료와 공정 조건이 사용되어 메탈라이제이션 공정이 수행되며, 고도의 정밀성과 일관성이 요구되는 공정입니다.